IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路圖解析
1.單管模塊，1 in 1模塊
      單管模塊的內(nèi)部由若干個IGBT并聯(lián)，以達到所需要的電流規(guī)格，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機械強度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太大，大電流規(guī)格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示，副發(fā)射極（第二發(fā)射極）連接到柵極驅(qū)動電路，主發(fā)射極連接到主電路中。         

                                        圖1 單管，模塊的內(nèi)部等效電路

      多個管芯并聯(lián)時，柵極已經(jīng)加入柵極電阻，實際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個模塊內(nèi)部的柵極電阻，其阻值是相同的。   

                                 圖2 單管模塊內(nèi)部的實際等效電路圖

       IGBT單管模塊通常稱為1 in 1模塊，前面的“1”表示內(nèi)部包含一個IGBT管芯，后面的“1”表示同一個模塊塑殼之中。

2.半橋模塊，2 in 1模塊
       半橋（Half bridge）模塊也稱為2 in 1模塊，可直接構(gòu)成半橋電路，也可以用2個半橋模塊構(gòu)成全橋，3個半橋模塊也構(gòu)成三相橋。因此，半橋模塊有時候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊。
       圖3是半橋模塊的內(nèi)部等效。不同的制造商的接線端子名稱也有所不同，如C2E1可能會標(biāo)識為E1C2，有的模塊只在等效電路圖上標(biāo)識引腳編號等。

                                    圖3 半橋模塊的內(nèi)部等效電路

        半橋模塊的電流/電壓規(guī)格指的均是其中的每一個模塊單元。如1200V/400A的半橋模塊，表示其中的2個IGBT管芯的電流/電壓規(guī)格都是1200V/400A，即C1和E2之間可以耐受最高2400V的瞬間直流電壓。
        不僅半橋模塊，所有模塊均是如此標(biāo)注的。
3.全橋模塊，4 in 1模塊
        全橋模塊的內(nèi)部等效電路如圖4所示。

                                       圖4 全橋模塊內(nèi)部等效電路

       全橋（Full bridge)模塊也稱為4 in 1模塊，用于直接構(gòu)成全橋電路；也可以用模塊中的2個半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。

4.三相橋模塊，6 in 1模塊
       三相橋（3-Phase bridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。           

                             圖5 三相橋模塊的內(nèi)部等效電路

       三相橋模塊也稱為6 in 1模塊，用于直接構(gòu)成三相橋電路，也可以將模塊中的3個半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應(yīng)用對IGBT的要求有所不同，故制造商習(xí)慣上會推出以實際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊，如3-Phase inverter module（三相逆變器模塊）等。